Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 71 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
168-6003
メーカー型番:
IRFR7546TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

71A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

99W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

58nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

高さ

6.22mm

幅

2.39 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流71A、最大電力損失99W - IRFR7546TRPBF


この高性能MOSFETは、効率的な電力管理を必要とする様々なアプリケーション向けに設計されています。堅牢な仕様で、耐久性と大電流能力が要求されるシーンに適している。オートメーションや電気的用途で一般的に使用され、さまざまな環境下で卓越した性能特性を発揮する。

特徴と利点


• 最大連続ドレイン電流71A

• 最大ドレイン・ソース間電圧60V定格

• 低オン抵抗が電力供給の効率を高める

• 表面実装が容易なDPAKパッケージ

• 高い電力放散能力で熱管理を改善

• エンハンスメント・モード動作でスイッチング性能を最適化

用途


• ブラシ付きモーター駆動に最適

• バッテリー駆動の回路設計に有用

• ハーフブリッジおよびフルブリッジのトポロジーに採用

• 同期整流器に有効

• DC/DCおよびAC/DC電力変換システムに適用

連続運転時の温度仕様は？


最大消費電力は99Wで、適切な条件下で過熱することなく効率的に動作する。

高温環境での性能は？


このデバイスは最大ジャンクション温度+175℃まで効率的に動作するため、厳しい状況でも使用できる。

取り付けにはどのようなオプションがありますか？


DPAKパッケージの表面実装設計を採用しており、省スペースでPCBに簡単に組み込むことができる。

ゲート電圧に制限はありますか？


はい、安全な動作条件を確保するために、ゲート・ソース間電圧は±20Vを超えてはなりません。

運転中の信頼性を高める対策は？


アバランシェ防止機能とダイナミックdV/dt保護機能により堅牢性が向上し、さまざまな条件下で信頼性の高い性能を発揮します。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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