Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 55 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
913-4783
メーカー型番:
IRFR5505TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1.6V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

32nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

57W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

高さ

2.39mm

幅

6.22 mm

自動車規格

なし

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V


InfinionのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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