Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 55 V, 31 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
913-4789
メーカー型番:
IRFR5305TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

31A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

65mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63nC

最大許容損失Pd

110W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

幅

6.22 mm

高さ

2.39mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MX

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流31A、最大許容損失110W - IRFR5305TRPBF


このMOSFETは、さまざまな電子アプリケーションに高度な性能を提供します。低オン抵抗と高電流処理能力は、効果的な電源管理に貢献する。堅牢な設計と信頼性の高い電気特性により、この部品はオートメーションや電子システムのさまざまな環境に適しています。

特徴と利点


• 低オン抵抗を実現し、効率を向上

• 最大連続ドレイン電流31Aをサポート

• 表面実装アプリケーションで使いやすい設計

• 55℃～+175℃の温度範囲で動作可能

• 素早い切り替えでパフォーマンスを向上

• 多様なアプリケーションに対応する最大消費電力110Wを実現

用途


• パワーマネージメントシステムに活用

• モーター制御に最適

• 電子機器用スイッチング電源に採用

• 効率向上のため自動車回路に使用

取り付けの際に推奨されるはんだ付け技術は何ですか？


最適な結果を得るには、気相、赤外線、またはウェーブはんだ付け技術を使用し、部品への熱ストレスを最小限に抑えます。

高温環境に対応できるか？


はい、-55℃～+175℃の温度範囲で効果的に作動し、過酷な条件下にも適しています。

RDS(on)が低いことの意味は？


低RDS(on)は電力損失を低減し、全体的な効率を高め、動作中の発熱を減少させる。

正確なスイッチング動作を保証するには？


推奨されるトリガー電圧に従って、正確なターンオンおよびターンオフ特性を実現するために適切なゲート駆動回路を実装する。

これは標準的なPCBレイアウトと互換性がありますか？


DPAKパッケージで設計されているため、特別な改造を必要とせず、一般的なPCB設計に簡単に組み込むことができます。

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