Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 17 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージIPAK, IRLU024NPBF

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RS品番:
543-0591
メーカー型番:
IRLU024NPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

17A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

IPAK

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

65mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

45W

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

動作温度 Max

175°C

高さ

6.22mm

規格 / 承認

No

2.39 mm

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流17A、最大ドレインソース電圧55V - IRLU024NPBF


このMOSFETは、電気および機械産業における要求の厳しい用途向けに特別に設計された高性能パワー・デバイスです。エンハンスメント・モード構成を特徴とし、-55℃~+175℃の温度範囲で効果的に動作する。長さ6.73mm、幅2.39mm、高さ6.22mmのコンパクトなサイズで、さまざまな電子機器のセットアップに簡単に組み込むことができる。

特徴と利点


• 最大連続ドレイン電流17Aを実現

• 最大ドレイン・ソース間電圧は55V

• 最大消費電力45Wをサポート

• 高温用途に適した頑丈な設計

• スルーホール取り付けに対応し、多様な取り付けが可能

用途


• 精密な制御のためのモーター制御システムに使用される

• 効率的なエネルギー変換を実現するスイッチモード電源に最適

• 産業用オートメーション機器に有効で、信頼性の高い性能を発揮

• 消費者向け電子機器に活用され、電力管理が向上

• 大電流を必要とするパワーマネージメント回路に最適

このデバイスにおけるオン抵抗の意味は何ですか?


Rds(on)が65mΩと低いため、動作中のエネルギー損失が最小限に抑えられ、この特定デバイスを使用して設計された回路全体の効率が向上する。この特性は、電子機器用途で過熱の問題を起こさずに大電流を流す能力も支えている。

このMOSFETの高温環境での性能は?


このデバイスは、-55°Cから+175°Cの温度範囲で確実に機能するように設計されており、産業機械や自動車アプリケーションのような熱ストレスの大きい環境に適しています。

パルス状のドレイン電流に対応できるか?


このデバイスは最大72Aのパルスドレイン電流をサポートし、短時間の大電流が必要なさまざまな動的スイッチング・アプリケーションに柔軟性を提供します。

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