STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 69 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本30個入り) 小計：*

￥61,250.01

(税抜)

￥67,375.02

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください
個
単価
1チューブあたりの価格*
30 - 120￥2,041.667￥61,250
150 - 270￥1,991.867￥59,756
300 - 720￥1,967.867￥59,036
750 - 1470￥1,944.433￥58,333
1500 +￥1,921.567￥57,647

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
168-7551
メーカー型番:
STW77N65M5
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

69A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

MDmesh M5

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

38mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

185nC

順方向電圧 Vf

1.5V

最大許容損失Pd

400W

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

15.75mm

幅

5.15 mm

高さ

20.15mm

自動車規格

なし

STMicroelectronics N チャンネル MDmesh ™ M5 シリーズ


MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ