STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

RS品番:: 188-8283
メーカー型番:: STB43N65M5
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:: 188-8283
メーカー型番:: STB43N65M5
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	STMicroelectronics
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	パッケージ型式	TO-263
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	630mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	70W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	15nC
	順方向電圧 Vf	1.6V
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	25 V
	動作温度 Max	150°C
	幅	9.35 mm
	長さ	10.4mm
	高さ	4.37mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド STMicroelectronics
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	パッケージ型式 TO-263
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 630mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 70W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15nC
	順方向電圧 Vf 1.6V
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 25 V
	動作温度 Max 150°C
	幅 9.35 mm
	長さ 10.4mm
	高さ 4.37mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet STB43N65M5

このデバイスは、MDmesh™ M5の革新的な縦型プロセス技術と、よく知られたPowerMESH™の横型レイアウトを組み合わせたNチャネル・パワーMOSFETです。その結果、製品は極めて低いオン抵抗を実現し、高電力と優れた効率を必要とするアプリケーションに特に適している。

極めて低いRDS（オン）

低いゲート電荷と入力容量

優れたスイッチング性能

用途

スイッチング・アプリケーション