Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 90 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージTO-252

Infineon TO-252-3 表面実装 N チャンネル MOSFET は、 10 V のゲートソース電圧で 5.3 mom のドレインソース抵抗を持つ新世代製品です。MOSFET の連続ドレイン電流は 90 A です。最大ゲートソース電圧は 20 V 、ドレインソース電圧は 80 V です。最大消費電力 150 W です。 MOSFET の最小駆動電圧は 6 V 、最大駆動電圧は 10 V です。スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、最も困難な用途に対処し、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。コンピューティング・アプリケーションにおけるシャープな次世代電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件を満たし、それを上回るように設計されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

•両面冷却

• AC-DC

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014