Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 40 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTSDSON, BSZ097N10NS5ATMA1

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梱包形態
RS品番:
170-2342
メーカー型番:
BSZ097N10NS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

BSZ097N10NS5

パッケージ型式

TSDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

69W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

幅

3.4 mm

規格 / 承認

No

長さ

3.4mm

自動車規格

なし

OptiMOS™ 5 100 Vは、Infineonの最新世代のパワーMOSFETです。通信及びサーバー電源の同期整流向けに特別に設計されています。さらに、太陽光発電、低電圧ドライブ、アダプタなどの産業用途でも使用できます。新しいOptiMOS™ 5 100 V MOSFETは、7種のパッケージで提供され、業界最低レベルのR DS(on)を実現しています。

同期整流に最適化

高スイッチング周波数に最適

最大44 %の出力静電容量低減

最大44 %のR DS(on)の低減

特長:

最高レベルのシステム効率

スイッチング損失及び導電損失を低減

並列の必要性を軽減

電力密度の向上

低電圧オーバーシュート

用途:

通信

サーバー

太陽光発電

低電圧ドライブ

電気自動車の照明

アダプタ

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