Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 40 A N, 表面, 8-Pin パッケージTSDSON, BSZ084N08NS5ATMA1

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梱包形態
RS品番:
258-0717
メーカー型番:
BSZ084N08NS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

BSZ

パッケージ型式

TSDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.4mΩ

チャンネルモード

N

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20nC

最大許容損失Pd

63W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.86V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS, IEC 61249-2-21

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS 5 80 V産業用パワーMOSFETは、前世代と比較して43 %のRDS(on)低減を実現し、高スイッチング周波数に最適です。このファミリのデバイスは、通信及びサーバー電源の同期整流用に特別に設計されています。さらに、ソーラー、低電圧ドライブ、アダプタなどの他の産業用途でも使用できます。

最高システム効率

スイッチング損失及び伝導損失の削減

必要な並列が少なくなります。

電力密度の向上

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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