Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 158 A N, 表面, 8-Pin パッケージTSDSON, BSZ018N04LS6ATMA1
- RS品番:
- 258-0710
- メーカー型番:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 258-0710
- メーカー型番:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 158A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | TSDSON | |
| シリーズ | BSZ | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.7mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.78V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 31nC | |
| 最大許容損失Pd | 83W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 158A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 TSDSON | ||
シリーズ BSZ | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.7mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 0.78V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 31nC | ||
最大許容損失Pd 83W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 IEC 61249-2-21, RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOS 6パワーMOSFET 40 Vファミリは、サーバー、デスクトップPC、ワイヤレス充電器、クイック充電器、ORing回路のスイッチモード電源の同期整流など、さまざまな用途や回路に最適化されています。オンステート抵抗の改善により、設計者は効率を向上させることができ、熱設計が容易になり、並列が少なくなり、システムコストの削減につながります。
最高システム効率
必要な並列が少なくなります。
電力密度の向上
超低電圧オーバーシュート
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