Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 184 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージLFPAK

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RS品番:
170-4884
メーカー型番:
BUK9Y19-55B,115
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

184A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

シリーズ

BUK9Y19

パッケージ型式

LFPAK

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

40mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

85W

最大ゲートソース電圧Vgs

15 V

動作温度 Max

175°C

長さ

5mm

規格 / 承認

No

高さ

1.05mm

4.1 mm

自動車規格

AEC-Q101

COO(原産国):
PH
シンプルな照明への給電から、エンジン、車体、シャーシ用途におけるパワー制御の高度なニーズまで、Nexperiaのパワー半導体は数多くの車載システムの電力問題への答えとなります。

定格175 °Cで熱条件の過酷な環境に最適。主なMOSFET用途: 電動パワーステアリング、エンジン管理、内蔵スタータ発電機、トランスミッション制御、車載照明、ブレーキ(ABS)、温度調節

TrenchMOSテクノロジーを採用し、プラスチックパッケージに収められた、ロジックレベルNチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)です。この製品は車載重要部品向けに設計されています。

低オン抵抗による低導電損失、ロジックレベルのゲート駆動ソースに最適、定格175 °Cで熱条件の過酷な環境に最適、12 V及び24 Vの負荷、車載用システム、汎用パワースイッチング、モータ、ランプ、ソレノイド

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