1 Infineon MOSFET デュアル, タイプP, タイプNチャンネル, 4.7 A, 表面 55 V, 8-Pin デプレッション型, IRF7343TRPBF パッケージSO-8

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計:*

¥1,530.00

(税抜)

¥1,683.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 3,780 2026年3月26日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
10 - 190¥153.00¥1,530
200 - 1890¥136.30¥1,363
1900 - 2490¥119.60¥1,196
2500 - 3190¥104.20¥1,042
3200 +¥87.50¥875

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
171-1915
メーカー型番:
IRF7343TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

IRF7343PbF

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

170mΩ

チャンネルモード

デプレッション型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

24nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

2W

順方向電圧 Vf

0.96V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

デュアル

長さ

5mm

規格 / 承認

No

高さ

1.5mm

4 mm

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

未対応

Infineon IRF7343 は、 SO-8 パッケージの 55 V デュアル N チャンネル及び P チャンネル HEXFET パワー MOSFET です。

RoHS対応

低RDS(on)

動的 dv/dt 定格

高速スイッチング

関連ページ