Infineon MOSFET, Nチャンネル, 200 V, 3.7 A, 78 mΩ, 29 nC, 8ピン, パッケージ:SO-8
- RS品番:
- 257-9320
- メーカー型番:
- IRF7820TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 1200 - 1595 | ¥305.60 | ¥1,528 |
| 1600 - 3195 | ¥254.20 | ¥1,271 |
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- RS品番:
- 257-9320
- メーカー型番:
- IRF7820TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 78mΩ | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 29nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 330mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 3.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 78mΩ | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 29nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 330mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IRFシリーズは、SO 8パッケージに収められた200 VシングルnチャンネルHEXFETパワーモスフェットです。
ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化
JEDEC規格に準拠した製品認定
標準レベルは10 Vゲートドライブ電圧に最適化
業界標準の表面実装パッケージ
ウェーブはんだ付け可能
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