Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 35 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージTO-252, IPD25CN10NGATMA1

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梱包形態
RS品番:
171-1917
メーカー型番:
IPD25CN10NGATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

35A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD25CN10N G

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

26mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

23nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

71W

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

幅

7.47 mm

長さ

6.73mm

高さ

2.41mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 該当なし

Infineon


Infineon TO-252-3 表面実装 N チャンネル MOSFET は、 10 V のゲートソース電圧で 25 mhm のドレインソース抵抗を持つ新世代製品です。MOSFET の連続ドレイン電流は 300 A です。最大ゲートソース電圧は 20 V 、ドレインソース電圧は 100 V です。最大消費電力： 71 W です。 MOSFET の駆動電圧は 10 V です。スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


•製品の設計が簡単

• 環境に優しい

•優れたゲート電荷量 x RDS （ on ）製品（ FOM ）

•優れたスイッチング性能

• ハロゲンフリー

•最高の電力密度

• 効率の向上

•並列化の必要性が少ない

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C

•最小の基板スペース消費

•非常に低い Qg および Qgd

•世界最低の RDS （ on ）

用途


•クラス D オーディオアンプ

•絶縁型 DC-DC コンバータ（通信及びデータ通信システム

• 48V-80V システム（屋内車両、電動工具、トラック）のモータ制御

• 48 V システムの O リングスイッチと回路ブレーカ

•同期整流器

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC

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