Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 35 A, 26 mΩ, 23 nC, 5ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 171-1917
- メーカー型番:
- IPD25CN10NGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥1,861.00
(税抜)
￥2,047.10
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 1,720 は 2026年9月16日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 140 | ￥186.10 | ￥1,861 |
| 150 - 1190 | ￥165.50 | ￥1,655 |
| 1200 - 1590 | ￥145.20 | ￥1,452 |
| 1600 - 1990 | ￥124.50 | ￥1,245 |
| 2000 + | ￥104.10 | ￥1,041 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 171-1917
- メーカー型番:
- IPD25CN10NGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 35A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | IPD25CN10N G | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 26mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 71W | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 23nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 幅 | 7.47mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.41mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 35A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ IPD25CN10N G | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 26mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 71W | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 23nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 6.73mm | ||
幅 7.47mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.41mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 該当なし
Infineon
Infineon TO-252-3 表面実装 N チャンネル MOSFET は、 10 V のゲートソース電圧で 25 mhm のドレインソース抵抗を持つ新世代製品です。MOSFET の連続ドレイン電流は 300 A です。最大ゲートソース電圧は 20 V 、ドレインソース電圧は 100 V です。最大消費電力： 71 W です。 MOSFET の駆動電圧は 10 V です。スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。
特長と利点
•製品の設計が簡単
• 環境に優しい
•優れたゲート電荷量 x RDS （ on ）製品（ FOM ）
•優れたスイッチング性能
• ハロゲンフリー
•最高の電力密度
• 効率の向上
•並列化の必要性が少ない
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C
•最小の基板スペース消費
•非常に低い Qg および Qgd
•世界最低の RDS （ on ）
用途
•クラス D オーディオアンプ
•絶縁型 DC-DC コンバータ（通信及びデータ通信システム
• 48V-80V システム（屋内車両、電動工具、トラック）のモータ制御
• 48 V システムの O リングスイッチと回路ブレーカ
•同期整流器
認定
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
関連ページ
- Infineon MOSFET 100 V 26 mΩ 5ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 13 A, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 100 V 33 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 100 V 12.4 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 30 A, パッケージ：PG-TO-252
- Infineon MOSFET 100 V 26 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 18.1 A, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 15.1 A, パッケージ：TO-252