Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 35 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-TO-252

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RS品番:
258-3839
メーカー型番:
IPD35N12S3L24ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

35A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

120V

パッケージ型式

PG-TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

24mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

71W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

30nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-Tパワートランジスタは、自動車用途向けのパワーMOSFETです。動作温度は175 °Cです。

Nチャンネル - 強化モード

自動車用AEC Q101認定

MSL1: 最大260 °Cピークリフロー

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