Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 11.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON, BSC12DN20NS3GATMA1

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梱包形態
RS品番:
171-1952
メーカー型番:
BSC12DN20NS3GATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

11.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

シリーズ

BSC12DN20NS3 G

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

125mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

50W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.5nC

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1.1mm

長さ

5.35mm

幅

6.35 mm

自動車規格

なし

Infineon の BSC12DN20NS3 G 200 V OptiMOS 製品は、高性能のベンチマークテクノロジーを採用し、 48 V システム、 DC-DC コンバータ、無停電電源（ UPS ）、 DC モータドライブ用インバータの同期整流に最適です。

最高レベルの効率

最高電力密度

最小レベルの基板スペース消費

デバイスの並列の必要性が最小限

システムコストの改善

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