Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 7 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン
- RS品番:
- 825-9146
- メーカー型番:
- BSC22DN20NS3GATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
在庫切れ
単価： 購入単位は20個
￥179.70
(税抜)
￥197.67
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 20 - 280 | ￥179.70 | ￥3,594.00 |
| 300 - 2380 | ￥174.40 | ￥3,488.00 |
| 2400 - 3180 | ￥126.25 | ￥2,525.00 |
| 3200 - 3980 | ￥102.05 | ￥2,041.00 |
| 4000 + | ￥78.00 | ￥1,560.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 825-9146
- メーカー型番:
- BSC22DN20NS3GATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon OptiMOS™3パワーMOSFET、100 V以上
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 7 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 200 V |
| パッケージタイプ | TDSON |
| シリーズ | OptiMOS™ 3 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 225 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 34 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 長さ | 5.35mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 幅 | 6.35mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 4.2 nC @ 10 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 高さ | 1.1mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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