2 東芝電池 MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, SSM6N35FE パッケージSOT-563
- RS品番:
- 171-2510
- メーカー型番:
- SSM6N35FE
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
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- RS品番:
- 171-2510
- メーカー型番:
- SSM6N35FE
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | SOT-563 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 20Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 10 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 1.2mm | |
| 高さ | 0.55mm | |
| 幅 | 1.6 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 SOT-563 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 20Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 10 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 1.2mm | ||
高さ 0.55mm | ||
幅 1.6 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
- COO（原産国）:
- TH
1.2 Vドライブ
Nチャンネル2-in-1
低オン抵抗: Ron = 20 Ω (最大) (@VGS = 1.2 V)
Ron = 8 Ω (最大) (@VGS = 1.5 V)
Ron = 4 Ω (最大) (@VGS = 2.5 V)
Ron = 3 Ω (最大) (@VGS = 4.0 V)