1 東芝電池 MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 6 A, 表面実装 30 V, 3-Pin エンハンスメント型, SSM3K335R パッケージSOT-23
- RS品番:
- 171-2542
- メーカー型番:
- SSM3K335R
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
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- RS品番:
- 171-2542
- メーカー型番:
- SSM3K335R
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 幅 | 1.8 mm | |
| 高さ | 0.7mm | |
| 長さ | 2.9mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
幅 1.8 mm | ||
高さ 0.7mm | ||
長さ 2.9mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
- COO（原産国）:
- TH
4.5 Vゲート駆動電圧。
低いドレイン-ソース間オン抵抗
RDS(ON) = 38 mΩ (最大) (@VGS = 10 V)
RDS(ON) = 56 mΩ (最大) (@VGS = 4.5 V)
4.5 Vゲート駆動電圧。
低いドレイン-ソース間オン抵抗
RDS(ON) = 38 mΩ (最大) (@VGS = 10 V)
RDS(ON) = 56 mΩ (最大) (@VGS = 4.5 V)
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