Toshiba MOSFET, Nチャンネル, シングル, 30 V, 6 A, 42 mΩ, 3ピン, パッケージ:SOT-23
- RS品番:
- 171-2399
- メーカー型番:
- SSM3K333R
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
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- RS品番:
- 171-2399
- メーカー型番:
- SSM3K333R
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 30 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 6 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 42 mΩ | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 高さ | 800 μm | |
| 長さ | 2.9 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 20 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 2 W | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 幅 | 1.8 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 30 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 6 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 42 mΩ | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
高さ 800 μm | ||
長さ 2.9 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 20 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 2 W | ||
取付タイプ 表面 | ||
幅 1.8 mm | ||
- COO(原産国):
- TH
4.5V drive
Low ON-resistance: RDS(ON) = 42 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
RDS(ON) = 28 mΩ (max) (@VGS = 10 V)
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