Taiwan Semiconductor MOSFET, Nチャンネル, 4 A, スルーホール, 3 ピン, TSM4NB60CI C0G
- RS品番:
- 171-3721
- メーカー型番:
- TSM4NB60CI C0G
- メーカー/ブランド名:
- Taiwan Semiconductor
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- RS品番:
- 171-3721
- メーカー型番:
- TSM4NB60CI C0G
- メーカー/ブランド名:
- Taiwan Semiconductor
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Taiwan Semiconductor | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 4 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V | |
| パッケージタイプ | ITO-220 | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 2.5 Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4.5V | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2.5V | |
| 最大パワー消費 | 25 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | ±30 V | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 長さ | 6.5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 幅 | 6.1mm | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V | |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.13V | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 2.28mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Taiwan Semiconductor | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 4 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 600 V | ||
パッケージタイプ ITO-220 | ||
実装タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 2.5 Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 4.5V | ||
最低ゲートしきい値電圧 2.5V | ||
最大パワー消費 25 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 ±30 V | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
長さ 6.5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
幅 6.1mm | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 14.5 nC @ 10 V | ||
順方向ダイオード電圧 1.13V | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 2.28mm | ||
Taiwan Semiconductor 600 V 、 4 A 、 2 。5 Ω 、 3 ピン、 N チャンネルパワー MOSFET は、シングルトランジスタ構成で強化チャンネルモードを備えています。一般に電源及び照明用途で使用されます。
100 % アバランシェテスト済み
鉛フリーめっき
RoHS 指令 2011/65/EU に適合し、 WEE 2002/96/EC に適合しています
IEC61249-2-21 規定に準拠したハロゲンフリー
動作温度範囲: -55 → +150 ° C
最大電力損失: 25 W
ゲートしきい値電圧範囲: 2.5 → 4.5 V
鉛フリーめっき
RoHS 指令 2011/65/EU に適合し、 WEE 2002/96/EC に適合しています
IEC61249-2-21 規定に準拠したハロゲンフリー
動作温度範囲: -55 → +150 ° C
最大電力損失: 25 W
ゲートしきい値電圧範囲: 2.5 → 4.5 V
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