Taiwan Semiconductor MOSFET, Nチャンネル, 4 A, スルーホール, 3 ピン, TSM4NB60CI C0G

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梱包形態
RS品番:
171-3721
メーカー型番:
TSM4NB60CI C0G
メーカー/ブランド名:
Taiwan Semiconductor
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ブランド

Taiwan Semiconductor

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

4 A

最大ドレイン-ソース間電圧

600 V

パッケージタイプ

ITO-220

実装タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

2.5 Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

4.5V

最低ゲートしきい値電圧

2.5V

最大パワー消費

25 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

±30 V

動作温度 Max

+150 °C

長さ

6.5mm

1チップ当たりのエレメント数

1

6.1mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

14.5 nC @ 10 V

順方向ダイオード電圧

1.13V

動作温度 Min

-55 °C

高さ

2.28mm

Taiwan Semiconductor 600 V 、 4 A 、 2 。5 Ω 、 3 ピン、 N チャンネルパワー MOSFET は、シングルトランジスタ構成で強化チャンネルモードを備えています。一般に電源及び照明用途で使用されます。

100 % アバランシェテスト済み
鉛フリーめっき
RoHS 指令 2011/65/EU に適合し、 WEE 2002/96/EC に適合しています
IEC61249-2-21 規定に準拠したハロゲンフリー
動作温度範囲: -55 → +150 ° C
最大電力損失: 25 W
ゲートしきい値電圧範囲: 2.5 → 4.5 V

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