- RS品番:
- 172-4634
- メーカー型番:
- FCPF067N65S3
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価: 購入単位は5個
¥1,105.20
(税抜)
¥1,215.72
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
5 - 45 | ¥1,105.20 | ¥5,526.00 |
50 - 470 | ¥1,073.20 | ¥5,366.00 |
475 - 595 | ¥827.20 | ¥4,136.00 |
600 - 795 | ¥713.00 | ¥3,565.00 |
800 + | ¥689.20 | ¥3,446.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 172-4634
- メーカー型番:
- FCPF067N65S3
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
- COO(原産国):
- CN
詳細情報
SuperFET® III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術により、超低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。したがって、SuperFET III MOSFETは、さまざまな電源システムの小型化及び高効率化に最適です。
700 V @ TJ = 150 °C
低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮
超低ゲート電荷量(標準Qg = 78 nC)
低スイッチング損失
低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 715 pF)
低スイッチング損失
静電容量を最適化
低ピークVds、低Vgs振幅
標準RDS(on) = 62 mΩ
ウェーブはんだ付け保証
コンピューティング
電気通信
産業用
テレコム / サーバー
ソーラーインバータ / UPS
EVC
低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮
超低ゲート電荷量(標準Qg = 78 nC)
低スイッチング損失
低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 715 pF)
低スイッチング損失
静電容量を最適化
低ピークVds、低Vgs振幅
標準RDS(on) = 62 mΩ
ウェーブはんだ付け保証
コンピューティング
電気通信
産業用
テレコム / サーバー
ソーラーインバータ / UPS
EVC
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 44 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
パッケージタイプ | TO-220F |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 67 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 4.5V |
最低ゲートしきい値電圧 | 2.5V |
最大パワー消費 | 46 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | ±30 V |
動作温度 Max | +150 °C |
長さ | 10.36mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
幅 | 4.9mm |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
高さ | 16.07mm |
動作温度 Min | -55 °C |
順方向ダイオード電圧 | 1.2V |
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