onsemi MOSFET, タイプNチャンネル, 80 V, 157 A, 4.4 mΩ, 64 nC, 5ピン, パッケージ:DFN

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 リール(1リール1500個入り) 小計:*

¥263,227.50

(税抜)

¥289,551.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年2月12日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
1500 - 1500¥175.485¥263,228
3000 - 13500¥172.905¥259,358
15000 - 21000¥170.325¥255,488
22500 - 28500¥167.743¥251,615
30000 +¥165.161¥247,742

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
172-8785
メーカー型番:
NTMFS6H801NT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

157A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

NTMFS6H801N

パッケージ型式

DFN

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

166W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

0.8V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

64nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

6.1mm

5.1mm

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

5 x 6 mmフラットリードパッケージの業務用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。

省スペース(5 x 6 mm)

小型設計

低RDS(on)

導電損失を最小限に抑制

低QG、低静電容量

ドライバ損失を最小限に抑制

用途

スイッチング電源

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

48 Vシステム

モータ制御

負荷スイッチ

DC/DCコンバータ

同期整流器

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。