型番

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 157 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN

RS品番:: 172-8785
メーカー型番:: NTMFS6H801NT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 157 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN

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3000 - 13500	￥158.989	￥238,484
15000 - 21000	￥156.616	￥234,924
22500 - 28500	￥154.243	￥231,365
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RS品番:: 172-8785
メーカー型番:: NTMFS6H801NT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	157A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	80V
	シリーズ	NTMFS6H801N
	パッケージ型式	DFN
	取付タイプ	表面
	ピン数	5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	4.4mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	166W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	64nC
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	0.8V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	長さ	6.1mm
	幅	5.1 mm
	高さ	1.1mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 157A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V
	シリーズ NTMFS6H801N
	パッケージ型式 DFN
	取付タイプ表面
	ピン数 5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.4mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 166W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 64nC
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 0.8V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	長さ 6.1mm
	幅 5.1 mm
	高さ 1.1mm
	自動車規格なし

Datasheet

5 x 6 mmフラットリードパッケージの業務用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。

省スペース(5 x 6 mm)

小型設計

低RDS(on)

導電損失を最小限に抑制

低QG、低静電容量

ドライバ損失を最小限に抑制

用途

スイッチング電源

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

48 Vシステム

モータ制御

負荷スイッチ

DC/DCコンバータ

同期整流器

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 157 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN

3,000円を超える注文については、送料無料

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