onsemi Nチャンネル MOSFET80 V 203 A 表面実装 パッケージDFN 5 ピン

ON Semiconductor DFN5 表面実装 N チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧が 80 V 、最大ゲートソース電圧が 20 V の新しい製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 2.1 mohm です。連続ドレイン電流は 203 A 、最大消費電力は 200 W です。 このトランジスタの最小駆動電圧は 6 V 、最大駆動電圧は 10 V です。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

• コンパクト設計
•鉛（ Pb ）フリー
• QG と静電容量が低い
• QG と静電容量が低いため、ドライバの損失を最小限に抑えることができます
•低 RDS （ on ）により、導電損失を最小限に抑えます
•導電損失を最小限に抑える
•ドライバの損失を最小限に抑える
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C
•小型フットプリント（ 5 x 6 mm ）

• 48 V システム
• DC/DC コンバータ
•負荷スイッチ
• モータ制御
•パワースイッチ（ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、 H ブリッジなど）
•スイッチング電源
•同期整流器

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。