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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	40A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	シリーズ	NTH
	パッケージ型式	TO-247
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	82mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.3V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	81nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	30 V
	最大許容損失Pd	313W
	動作温度 Max	150°C
	幅	4.82 mm
	高さ	20.82mm
	規格 / 承認	No
	長さ	15.87mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 40A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	シリーズ NTH
	パッケージ型式 TO-247
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 82mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.3V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 81nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 30 V
	最大許容損失Pd 313W
	動作温度 Max 150°C
	幅 4.82 mm
	高さ 20.82mm
	規格 / 承認 No
	長さ 15.87mm
	自動車規格なし

SuperFET® III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術により、超低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。したがって、SuperFET III MOSFETは、さまざまな電源システムの小型化及び高効率化に最適です。SuperFET II FRFET® MOSFETの最適化されたボディーダイオード逆回復性能は、追加の部品の必要をなくし、システムの信頼性を向上させます。

700 V @ TJ = 150 °C

低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮

超低ゲート電荷量(標準Qg = 81 nC)

低スイッチング損失

低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 722 pF)

低スイッチング損失

優れたボディダイオード性能(低Qrr、堅牢なボディダイオード)

LLC及び位相ずれフルブリッジ回路で高いシステム信頼性を発揮

静電容量を最適化

低ピークVds、低Vgs振幅

標準RDS(on) = 70 mΩ

用途

電気通信

クラウドシステム

産業用

通信電力

サーバー電力

EV充電器

太陽光発電 / UPS

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 40 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, NTHL082N65S3F

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