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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	4A
	シリーズ	NCP81075
	パッケージ型式	SOIC
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	チャンネルモード	N
	動作温度 Min	-40°C
	順方向電圧 Vf	1.1V
	動作温度 Max	170°C
	高さ	1.5mm
	規格 / 承認	No
	長さ	5mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 4A
	シリーズ NCP81075
	パッケージ型式 SOIC
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	チャンネルモード N
	動作温度 Min -40°C
	順方向電圧 Vf 1.1V
	動作温度 Max 170°C
	高さ 1.5mm
	規格 / 承認 No
	長さ 5mm
	自動車規格なし

NCP81075は、高電圧・高速型で、MOSFETの最大駆動供給電圧が180 Vの高性能デュアルMOSFET (ハイサイド / ローサイド)ゲートドライブICです。NCP81075は、ドライバICとブートストラップダイオードを搭載しており、最大駆動容量は4 Aです。ハイサイドとローサイドのドライバは別々に制御され、伝播遅延は標準3.5 nsで整合されます。このドライバは、高電圧バック機器、絶縁型電源、2スイッチ / アクティブクランプ順方向コンバータに最適です。ソーラーオプティマイザやソーラーインバータ用途に使用することもできます。この部品は、SO8、8ピンDFN、及び10ピンDFNパッケージで提供され、仕様上の使用温度範囲は-40 ～ 140 °Cです。

ハイ / ローサイドの2つのNチャンネルMOSFETを駆動

ハイサイドゲートドライブ用のブートストラップダイオードを内蔵

ブートストラップ供給電圧範囲: 180 V (最大)

出力電流容量: 4A (ソース)、4A (シンク)

8 ns / 7 nsの標準立ち上がり / 立ち下がり時間で1 nF負荷を駆動

広い供給電圧範囲: 8.5 → 20 V

高速伝播遅延時間(標準20 ns)

遅延マッチング(標準): 2 ns

駆動電圧の低電圧ロックアウト(UVLO)保護

ジャンクション動作温度範囲: -40 → 140 °C

用途

バックコンバータ

絶縁型電源

クラスDオーディオアンプ

2スイッチ / アクティブクランプ順方向コンバータ

ソーラーオプティマイザ

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル, 4 A N, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, NCP81075DR2G

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