Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 500 V, 2.4 A, 3 Ω, 19 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

RS品番:: 177-7553
メーカー型番:: IRFR420TRPBF
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 500 V, 2.4 A, 3 Ω, 19 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

取扱停止中

申し訳ありませんが、この商品の入荷は未定です。

RS品番:: 177-7553
メーカー型番:: IRFR420TRPBF
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	N
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	2.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	500V
	シリーズ	IRFR420
	パッケージ型式	TO-252
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	42W
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.6V
	最大ゲートソース電圧Vgs	-20V, +20V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	19nC
	動作温度 Max	150°C
	幅	6.22mm
	規格 / 承認	RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	長さ	6.73mm
	高さ	2.39mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプ N
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 2.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V
	シリーズ IRFR420
	パッケージ型式 TO-252
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 42W
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.6V
	最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 19nC
	動作温度 Max 150°C
	幅 6.22mm
	規格 / 承認 RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	長さ 6.73mm
	高さ 2.39mm
	自動車規格なし

Vishay IRFR420シリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧500V、最大消費電力42W - IRFR420TRPBF

このパワーMOSFETは、産業用および電子機器のスイッチングおよび電力管理機能向けに設計された高電圧Nチャンネル強化デバイスです。過酷な環境に対応する幅広い温度範囲で動作し、基板レベルのアセンブリに適したコンパクトな表面実装パッケージで提供されます。

特長および利点：

• 最大ドレイン・ソース電圧500Vで高電圧スイッチング機能を実現
• 3Ω Rds(on)により、予測可能な伝導損失を実現
• 2.4Aの連続ドレイン電流により、安定状態の負荷処理を実現
• 19nCゲート充電により、効率的なスイッチングトランジションをサポート
• 熱性能バジェットのための最大消費電力: 42W
• 20Vゲートソース定格により、強力なゲートドライブマージンに対応

用途

• 高電圧スイッチング電源に最適
• 産業用モータ制御フロントエンドに最適
• 電力システムの絶縁DC-DCコンバータと併用
• ランプおよびヒータースイッチング回路に使用可能
• 極端な温度で動作する堅牢な電子機器に最適

信頼性の高い動作を実現するためには、どのような取り付け方法を使用すべきですか?

このパッケージはTO-252表面実装タイプで、標準的なSMTリフロープロセスと互換性のあるランドパターンはプリント基板アセンブリに適しています。

レイアウト時に設計者はどのような熱制限を考慮すべきですか?

このデバイスは最大 42W の消費電力を供給

ジャンクション温度を制限内で管理するためには、銅面積、サーマルバイアス、基板上の適切なヒートシンクが必要です。

ゲートドライブの選択は、スイッチング性能にどのように影響しますか?

20 Vゲート-ソース制限に近づくことができるドライブにより、高速ターンオンを実現し、19 nCのゲート充電数値により、必要なドライブ電流とスイッチング損失を推定できます。

どのような過酷な環境に耐えられますか?

-55°C～150°Cで動作するように設計されており、周囲温度とジャンクション温度の幅広い用途で使用できます。