Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 500 V, 2.4 A, 3 Ω, 19 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 710-4657
- メーカー型番:
- IRFR420TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 710-4657
- メーカー型番:
- IRFR420TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 500V | |
| シリーズ | IRFR420 | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 19nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 42W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 高さ | 2.39mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V | ||
シリーズ IRFR420 | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 19nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 42W | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.73mm | ||
規格 / 承認 RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
幅 6.22mm | ||
高さ 2.39mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay IRFR420シリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧500V、最大消費電力42W - IRFR420TRPBF
このパワーMOSFETは、産業用および電子機器のスイッチングおよび電力管理機能向けに設計された高電圧Nチャンネル強化デバイスです。過酷な環境に対応する幅広い温度範囲で動作し、基板レベルのアセンブリに適したコンパクトな表面実装パッケージで提供されます。
特長および利点：
• 最大ドレイン・ソース電圧500Vで高電圧スイッチング機能を実現
• 3Ω Rds(on)により、予測可能な伝導損失を実現
• 2.4Aの連続ドレイン電流により、安定状態の負荷処理を実現
• 19nCゲート充電により、効率的なスイッチングトランジションをサポート
• 熱性能バジェットのための最大消費電力: 42W
• 20Vゲートソース定格により、強力なゲートドライブマージンに対応
• 3Ω Rds(on)により、予測可能な伝導損失を実現
• 2.4Aの連続ドレイン電流により、安定状態の負荷処理を実現
• 19nCゲート充電により、効率的なスイッチングトランジションをサポート
• 熱性能バジェットのための最大消費電力: 42W
• 20Vゲートソース定格により、強力なゲートドライブマージンに対応
用途
• 高電圧スイッチング電源に最適
• 産業用モータ制御フロントエンドに最適
• 電力システムの絶縁DC-DCコンバータと併用
• ランプおよびヒータースイッチング回路に使用可能
• 極端な温度で動作する堅牢な電子機器に最適
• 産業用モータ制御フロントエンドに最適
• 電力システムの絶縁DC-DCコンバータと併用
• ランプおよびヒータースイッチング回路に使用可能
• 極端な温度で動作する堅牢な電子機器に最適
信頼性の高い動作を実現するためには、どのような取り付け方法を使用すべきですか?
このパッケージはTO-252表面実装タイプで、標準的なSMTリフロープロセスと互換性のあるランドパターンはプリント基板アセンブリに適しています。
レイアウト時に設計者はどのような熱制限を考慮すべきですか?
このデバイスは最大 42W の消費電力を供給
ジャンクション温度を制限内で管理するためには、銅面積、サーマルバイアス、基板上の適切なヒートシンクが必要です。
ゲートドライブの選択は、スイッチング性能にどのように影響しますか?
20 Vゲート-ソース制限に近づくことができるドライブにより、高速ターンオンを実現し、19 nCのゲート充電数値により、必要なドライブ電流とスイッチング損失を推定できます。
どのような過酷な環境に耐えられますか?
-55°C～150°Cで動作するように設計されており、周囲温度とジャンクション温度の幅広い用途で使用できます。
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