Vishay Nチャンネル MOSFET200 V 4.8 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- RS品番:
- 177-7560
- メーカー型番:
- IRFR220TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
一時的な在庫切れ - 2024/10/14に入荷し、その後4営業日でお届け予定
単価： 購入単位は2000 個
￥43.847
(税抜)
￥48.232
(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 2000 - 8000 | ￥43.847 | ￥87,694.00 |
| 10000 - 18000 | ￥42.537 | ￥85,074.00 |
| 20000 - 48000 | ￥40.269 | ￥80,538.00 |
| 50000 - 98000 | ￥39.135 | ￥78,270.00 |
| 100000 + | ￥38.00 | ￥76,000.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 177-7560
- メーカー型番:
- IRFR220TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
詳細情報
NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 4.8 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 200 V |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 800 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 42 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 幅 | 6.22mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| 長さ | 6.73mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 高さ | 2.38mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
関連ページ
- Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 5 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Vishay Pチャンネル MOSFET50 V 5.3 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252)
- Vishay Nチャンネル MOSFET200 V 2.6 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 71 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 3.6 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 44 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Vishay Nチャンネル MOSFET60 V 14 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252)
- Vishay Nチャンネル MOSFET200 V 4.8 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252)