Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 31 A, 表面 パッケージTO-252

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RS品番:
257-9403
メーカー型番:
IRFR3410TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

31A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

39mΩ

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

110W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

37nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon IRFRシリーズは、D Pakパッケージに収められた100 VシングルnチャンネルIR Mosfetです。パワーモスフェットのIR mosfetファミリは、実績のあるシリコンプロセスを採用し、DCモータ、インバータ、SMPS、照明、負荷スイッチなどのさまざまな用途をサポートする幅広いデバイスを設計者に提供します。デバイスは、さまざまな表面実装及びスルーホールパッケージで提供され、業界標準のフットプリントで設計が簡単です。

幅広いSOAに対応する平面セル構造

ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化

JEDEC規格に準拠した製品認定

100 kHz未満のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン

業界標準の表面実装パッケージ

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