Microchip MOSFET, タイプNチャンネル 400 V, 260 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-243, TN2540N8-G

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梱包形態
RS品番:
177-9854
メーカー型番:
TN2540N8-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
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ブランド

Microchip

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

260mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

400V

パッケージ型式

TO-243

シリーズ

TN2540

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

12Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1.6W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.8V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.6mm

長さ

4.6mm

幅

2.6 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

この低しきい値エンハンスメントモード(通常オン)トランジスタは、垂直型DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。垂直型DMOS FETは、超低しきい値電圧、高降伏電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング用途や増幅用途に最適です。

低しきい値(最大2.0 V)

高入力インピーダンス

低入力静電容量(最大125 pF)

高速なスイッチング速度

低オン抵抗

二次降伏なし

低い入力及び出力漏れ

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