Microchip Nチャンネル MOSFET400 V 260 mA 表面実装 パッケージTO-243AA 3 ピン

この低しきい値エンハンスメントモード(通常オン)トランジスタは、垂直型DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。垂直型DMOS FETは、超低しきい値電圧、高降伏電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング用途や増幅用途に最適です。

低しきい値(最大2.0 V)
高入力インピーダンス
低入力静電容量(最大125 pF)
高速なスイッチング速度
低オン抵抗
二次降伏なし
低い入力及び出力漏れ

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