Microchip MOSFET, タイプPチャンネル 400 V, 125 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-243

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2000個入り) 小計:*

¥330,660.00

(税抜)

¥363,720.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2000 - 2000¥165.33¥330,660
4000 - 18000¥162.023¥324,046
20000 - 28000¥153.381¥306,762
30000 - 38000¥149.058¥298,116
40000 +¥144.738¥289,476

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
177-9695
メーカー型番:
TP2540N8-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Microchip

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

125mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

400V

パッケージ型式

TO-243

シリーズ

TP2540

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

30Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

1.6W

順方向電圧 Vf

-1.8V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

2.6 mm

長さ

4.6mm

規格 / 承認

No

高さ

1.6mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
TW
この低しきい値エンハンスメントモード(通常オン)トランジスタは、垂直型DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。垂直型DMOS FETは、超低しきい値電圧、高降伏電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング用途や増幅用途に最適です。

低しきい値(最大-2.4 V)

高入力インピーダンス

低入力静電容量(標準60 pF)

高速なスイッチング速度

低オン抵抗

二次降伏なし

低い入力及び出力漏れ

関連ページ