Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 500 V, 5 A, 1.4 Ω, 24 nC, 3ピン, パッケージ:JEDEC TO-220AB

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RS品番:
178-0834
メーカー型番:
IRF830APBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

500V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

IRF830A

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

24nC

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

-30V, +30V

最大許容損失Pd

74W

動作温度 Max

150°C

長さ

10.41mm

幅

4.7mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

9.01mm

自動車規格

なし

Vishay IRF830AシリーズパワーMOSFET、500Vドレインソース電圧、5A連続ドレイン電流 - IRF830APBF


このパワーMOSFETは、産業用および商業用電子機器のスイッチングおよび電力変換作業向けに設計された高電圧Nチャンネル強化トランジスタです。過酷な環境に対応するため、幅広い温度範囲で動作し、スルーホールTO-220ABパッケージで提供され、簡単な取り付けと熱管理を実現します。

特長:


• 500Vのドレイン電圧により、高電圧スイッチング用途に対応
• 1.4Ω の最大Rdsにより、負荷時の導通損失を低減
• 5Aの連続ドレイン電流により、適度な電流設計をサポート
• 74Wの最大消費電力により、大幅な熱処理を実現
• 24nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング性能を実現
• 30 Vのゲート耐圧により、十分なゲート駆動マージンを確保

用途


• インバータの高電圧電源スイッチングに最適
• 産業用モータ駆動のスイッチング段に最適
• ラボ機器のディスクリート電源と併用
• 抵抗負荷および誘導負荷スイッチングに使用可能
• スルーホールプロトタイピングおよび修理プロジェクトに最適

使用時にはどのような熱性能を考慮すべきでしょうか?


熱管理により、74Wの消費電力定格を考慮する必要があります。

適切なヒートシンクとTO-220AB方向の正しい取り付けにより、接点温度を安全な範囲内に保つことができます。

ゲートドライブはスイッチング動作にどのように影響しますか?


標準ゲート充電は24nC、最大Vgsは30Vで、ゲートドライブ回路は、ゲート電圧を指定された限界以下に保ちながら、必要な立ち上がり時間と立ち下がり時間に十分な電流を供給するように設定する必要があります。

動作範囲を定義する環境制限は?


このデバイスは、-55°C~150°Cまでの温度範囲で動作する定格であるため、システム設計により、周囲抵抗値と耐熱抵抗値をその範囲内で保持することができます。

自動車グレードの設計に適していますか?


自動車グレードに分類されていません

設計者は、車両レベルの資格が必要な場合に、自動車専用の代替品を検討する必要があります。

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