Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 5 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, IRF830APBF
- RS品番:
- 178-0834
- メーカー型番:
- IRF830APBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 178-0834
- メーカー型番:
- IRF830APBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 500V | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| シリーズ | IRF830A | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.4Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 74W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 24nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 10.41mm | |
| 高さ | 9.01mm | |
| 幅 | 4.7mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
シリーズ IRF830A | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 74W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 24nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 10.41mm | ||
高さ 9.01mm | ||
幅 4.7mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay IRF830AシリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧500 V、最大連続ドレイン電流5 A - IRF830APBF
このパワーMOSFETは、産業用電子機器の高電圧スイッチング用に設計されたスルーホールNチャンネル強化デバイスです。堅牢なドレイン対ソース電圧処理と適度な電流容量が必要な用途向けに設計されており、ヒートシンクアセンブリの電源スイッチングにコンパクトなソリューションを提供します。
特長：
• 500 V Vdsにより、産業用回路での高電圧スイッチングを実現 • 5 Aの連続ドレイン電流により、安定した負荷動作をサポート • 1.4 Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を最小限に抑制 • 最大消費電力74 Wで効果的な熱処理を実現 • 24 nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現 • Vgs ±30 V定格により、制御信号の出発時にゲートを保護
用途
• 高電圧モータドライブフロントエンドに最適 • 産業機器のスイッチモード電源に最適 • スルーホール取り付けを必要とする電力変換モジュールに使用 • 制御パネルのリレー交換スイッチングに使用可能
信頼性の高い熱除去には、どのような取り付け方法が必要ですか?
このデバイスは、スルーホール取り付け用のTO-220ABパッケージで提供され、タブに取り付けられたヒートシンクにより、定格電力消費を実現します。
ゲート充電はスイッチング性能にどのように影響しますか?
定格条件で24 nCの標準ゲート電荷は、必要なドライバ強度を決定し、高速用途でのスイッチング損失と立ち上がり / 立ち下がり時間に影響を与えます。
どのような温度範囲で動作しますか？
このコンポーネントは、-55°Cから150°Cまで動作する定格で、過酷な産業用熱環境での使用が可能です。
ゲートおよびドレインの過剰ストレスに対するどのような保護を考慮すべきですか?
設計者は、±30 V以内に保持するためのゲート保護を備え、高電圧でドレイン上のトランジェントを制限するためのスナビング又はクランプネットワークを実装する必要があります。
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