Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 600 V, 9.2 A, 750 mΩ, 49 nC, 3ピン, パッケージ:JEDEC TO-220AB

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梱包形態
RS品番:
541-1922
メーカー型番:
IRFB9N60APBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

9.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

IRFB9N60A

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

750mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

49nC

最大許容損失Pd

170W

順方向電圧 Vf

1.5V

最大ゲートソース電圧Vgs

-30V, +30V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

10.41mm

幅

4.7mm

高さ

9.01mm

自動車規格

なし

Vishay IRFB9N60AシリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧600V、連続ドレイン電流9.2A - IRFB9N60APBF


このパワーMOSFETは、産業用電子機器のスイッチングおよび増幅作業向けの高電圧Nチャンネルトランジスタです。エンハンスメントモードデバイスとして動作し、ヒートシンク取り付けに適したTO-220ABスルーホールパッケージで提供されます。このコンポーネントは、幅広い温度範囲で機能するように設計されており、過酷な熱環境に適しています。

特長:


• 600 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチングを実現
• 9.2 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート
• 750mΩ のRds(on)により、負荷時の導通損失を低減
• 170Wの最大消費電力により、高出力処理が可能
• 49nCの標準ゲート電荷により、スイッチングダイナミクスを制御可能
• 標準ゲートドライブ電圧をサポートする30 Vゲート許容差

用途


• オフライン電源およびSMPSに最適
• インバータおよびモータードライブステージに最適
• 高電圧DC-DCコンバータ設計に使用
• 産業機器の誘導負荷スイッチングに使用可能
• スルーホール開発ボードのパワーステージプロトタイプに使用

デバイスは、動作中にどのような極端な温度条件に耐えることができますか?


-55°C~150°Cの周囲温度で動作し、低温スタートと高熱ストレスに対応します。

このパッケージは、システム内の取り付けと冷却をどのようにサポートしますか?


TO-220ABの外形により、確実なスルーホール固定とヒートシンクへの直接取り付けが可能で、熱伝導を向上させます。

スイッチング性能を確保するため、ゲート駆動ではどのような点を考慮する必要がありますか?


ドライブ電圧は、ゲート-ソースの±30V以内に保たなければなりません。

49nCのゲート充電は、目的のスイッチング速度に必要なドライバ電流に影響を与えます。

このデバイスは車載グレードの用途に適していますか?


自動車規格に準拠していないため、自動車認証を受けた設備ではなく、産業用途に推奨されています。

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