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Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 5.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IRF510SPBF

RS品番:: 178-0860
メーカー型番:: IRF510SPBF
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 5.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IRF510SPBF

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RS品番:: 178-0860
メーカー型番:: IRF510SPBF
メーカー/ブランド名:: Vishay

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	5.6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	TO-263
	シリーズ	IRF
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	540mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	3.7W
	順方向電圧 Vf	2.5V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	8.3nC
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	長さ	10.67mm
	高さ	4.83mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 5.6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 TO-263
	シリーズ IRF
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 540mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 3.7W
	順方向電圧 Vf 2.5V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.3nC
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	長さ 10.67mm
	高さ 4.83mm
	自動車規格なし

Power MOSFET Datasheet

NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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