- RS品番:
- 178-1388
- メーカー型番:
- SD2931-10W
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
在庫切れ
単価: 購入単位は25 個
¥9,986.16
(税抜)
¥10,984.78
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
25 - 25 | ¥9,986.16 | ¥249,654.00 |
50 - 225 | ¥9,786.40 | ¥244,660.00 |
250 - 350 | ¥9,590.72 | ¥239,768.00 |
375 - 475 | ¥9,398.92 | ¥234,973.00 |
500 + | ¥9,210.92 | ¥230,273.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 178-1388
- メーカー型番:
- SD2931-10W
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
詳細情報
STMicroelectronics RF MOSFET トランジスタ
この高周波トランジスタは、Lバンド衛星アップリンクに適したLDMOSと、1 MHz→2 GHzのアプリケーションに対応したDMOSパワートランジスタです。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 20 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 125 V |
パッケージタイプ | M174 |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 4 |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大パワー消費 | 389 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
動作温度 Max | +200 °C |
長さ | 26.67mm |
トランジスタ素材 | Si |
幅 | 24.89mm |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
高さ | 4.11mm |
関連ページ
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET125 V 20 A 表面実装 パッケージM174 4 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1200 V 60 A 表面実装 パッケージH2PAK-7 7 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 2.5 A 表面実装 パッケージPowerFLAT 5x5 14 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1200 V 7 A 表面実装 パッケージテープ/リール
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFETモジュール650 V 68 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1200 V 45 A スルーホール パッケージHiP247-4 4 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFETモジュール600 V 39 A スルーホール パッケージTO-247-4 4 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル IGBTモジュール 600 V SDIP2B-26L タイプ X 6 絶縁型