シングル STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 表面 エンハンスメント型, 2-Pin パッケージB-2

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール120個入り) 小計:*

¥2,627,813.04

(税抜)

¥2,890,594.32

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年9月28日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
120 - 120¥21,898.442¥2,627,813
240 - 240¥21,576.40¥2,589,168
360 - 360¥21,254.367¥2,550,524
480 - 480¥20,932.333¥2,511,880
600 +¥20,610.30¥2,473,236

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
230-0086
メーカー型番:
RF2L36075CF2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

動作周波数

3.5 GHz

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

B-2

シリーズ

RF2L

取付タイプ

表面

ピン数

2

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Max

200°C

トランジスタ構成

シングル

高さ

3.61mm

長さ

20.57mm

19.44 mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

標準パワーゲイン

12.5dB

STMicroelectronics RF2L36075CF2 は、 75 W の内部整合 LDMOS トランジスタで、 3.1 → 3.6 GHz の周波数範囲でマルチキャリア WCDMA / PCS / DCS / LTE ベースステーション及び S バンドレーダー用途向けに設計されています。クラス AB 、 B 、 C で、一般的なあらゆる携帯電話基地局変調方式に使用できます。

高効率及び線形ゲイン動作

ESD保護機能を内蔵

内部入力整合により、使いやすさが向上しています

正と負のゲートソース電圧範囲が大きく、クラス C 動作が改善されています

熱安定性に優れ、 HCI ドリフトが低くなっています

関連ページ