Vishay Siliconix Nチャンネル MOSFET40 V 150 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 7 ピン
- RS品番:
- 178-3725
- メーカー型番:
- SQM40022EM_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
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単価： 購入単位は800 個
￥215.385
(税抜)
￥236.923
(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 800 - 800 | ￥215.385 | ￥172,308.00 |
| 1600 - 7200 | ￥211.076 | ￥168,860.80 |
| 8000 - 11200 | ￥206.855 | ￥165,484.00 |
| 12000 - 15200 | ￥202.719 | ￥162,175.20 |
| 16000 + | ￥198.664 | ￥158,931.20 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 178-3725
- メーカー型番:
- SQM40022EM_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
データシート
その他
RoHSステータス: 該当なし
- COO（原産国）:
- TW
詳細情報
TrenchFET®パワーMOSFET
低熱抵抗のパッケージ
低熱抵抗のパッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 150 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 40 V |
| シリーズ | TrenchFET |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 7 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 3 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2.5V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 3.5V |
| 最大パワー消費 | 150 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | ±20 V |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 長さ | 10.67mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 4.83mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 11.3mm |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.5V |
| 自動車規格 | AEC-Q101 |
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