2 Vishay Siliconix MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 6 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SQS966ENW-T1_GE3 パッケージPowerPAK 1212

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥2,930.00

(税抜)

￥3,223.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年7月27日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 125￥117.20￥2,930
150 - 1350￥104.88￥2,622
1375 - 1725￥91.64￥2,291
1750 - 2225￥79.36￥1,984
2250 +￥66.16￥1,654

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
178-3851
メーカー型番:
SQS966ENW-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay Siliconix

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerPAK 1212

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

60mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.82V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12.1nC

最大許容損失Pd

27.8W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

幅

3.15 mm

高さ

1.07mm

長さ

3.15mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:
CN
TrenchFET®パワーMOSFET

関連ページ