Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 2 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SQ2364EES-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
178-3877
メーカー型番:
SQ2364EES-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
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ブランド

Vishay Siliconix

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

600mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2nC

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

最大許容損失Pd

3W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

幅

1.4 mm

規格 / 承認

No

長さ

3.04mm

高さ

1.02mm

自動車規格

AEC-Q101

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay 表面実装 N チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧 60 V 、最大ゲートソース電圧 8 V の新世代製品です。ゲートソース電圧 4.5 V で 240 mohms のドレインソース抵抗を備えています。最大消費電力は 3 W で、連続ドレイン電流は 2 A です。最小及び最大駆動電圧は 1.5 V 及び 4.5 V です。車載用途に使用されます。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

認定


• AEC-Q101 （ AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• Rg テスト済み

• UIS テスト済み

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