Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 80 V, 2.2 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SQ2337ES-T1_GE3

Vishay 表面実装 P チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧が 80 V 、最大ゲートソース電圧が 20 V の新しいエージ加工製品です。ドレインソース抵抗は 290 mhm 、ゲートソース電圧は 4.5 V です。最大消費電力は 3 W 、連続ドレイン電流は 2.2 A です。この MOSFET の最小駆動電圧は 6 V 、最大駆動電圧は 10 V です。車載用途に使用されます。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

• ハロゲンフリー

• AEC-Q101 （ AEC-Q101