Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 93.6 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SIR188LDP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
239-8644
メーカー型番:
SIR188LDP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

93.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.75mΩ

チャンネルモード

デプレッション型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

83W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

動作温度 Max

125°C

規格 / 承認

No

幅

5.15 mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay TrenchFET®は、60 Vで動作する第4世代パワーNチャンネルMOSFETで、一次側スイッチやモータ駆動スイッチ、同期整流に使用されます。

超低抵抗

UISテスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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