2 Vishay Siliconix MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 6 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, SQS944ENW-T1_GE3 パッケージPowerPAK 1212

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梱包形態
RS品番:
178-3956
メーカー型番:
SQS944ENW-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
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ブランド

Vishay Siliconix

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

PowerPAK 1212

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

40mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

27.8W

順方向電圧 Vf

0.82V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.6nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

175°C

長さ

3.15mm

幅

3.15 mm

規格 / 承認

No

高さ

1.07mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:
CN
TrenchFET®パワーMOSFET

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