仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	65A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	パッケージ型式	TO-247
	シリーズ	NTHL
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	40mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.3V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	158nC
	最大許容損失Pd	446W
	最大ゲートソース電圧Vgs	30 V
	動作温度 Max	150°C
	長さ	15.87mm
	高さ	20.82mm
	幅	4.82 mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 65A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	パッケージ型式 TO-247
	シリーズ NTHL
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 40mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.3V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 158nC
	最大許容損失Pd 446W
	最大ゲートソース電圧Vgs 30 V
	動作温度 Max 150°C
	長さ 15.87mm
	高さ 20.82mm
	幅 4.82 mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features

700 V @ TJ = 150

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 158 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1366pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 32 mΩ

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

Benefits

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

End Products

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS