型番

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 123 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NTMFS6H818NT1G

RS品番:: 178-4431
メーカー型番:: NTMFS6H818NT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 123 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NTMFS6H818NT1G

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onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 123 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN

RS品番: 178-4316

購入単位は1500 個

￥154.357

(税抜)

￥169.793

(税込)

RS品番:: 178-4431
メーカー型番:: NTMFS6H818NT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	123A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	80V
	シリーズ	NTMFS6H818N
	パッケージ型式	DFN
	取付タイプ	表面
	ピン数	5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3.7mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	46nC
	最大許容損失Pd	3.8W
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	長さ	5.1mm
	幅	6.1 mm
	高さ	1.05mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 123A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V
	シリーズ NTMFS6H818N
	パッケージ型式 DFN
	取付タイプ表面
	ピン数 5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.7mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 46nC
	最大許容損失Pd 3.8W
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	長さ 5.1mm
	幅 6.1 mm
	高さ 1.05mm
	自動車規格なし

COO（原産国）:: MY

5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。

特長

省スペース(5 x 6 mm)

低RDS(on)

低QG、低静電容量

利点

小型設計

導電損失を最小限に抑制

ドライバ損失を最小限に抑制

用途

スイッチング電源

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、H

ブリッジなど)

48 Vシステム

電池管理及び保護

最終製品

モータ制御

DC/DCコンバータ

負荷スイッチ

電池パックとESS

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 123 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NTMFS6H818NT1G

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