onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 203 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NTMFS6H800NT1G

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梱包形態
RS品番:
172-8974
メーカー型番:
NTMFS6H800NT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

203A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

DFN

シリーズ

NTMFS6H800N

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

85nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

200W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

6.1mm

高さ

1.1mm

幅

5.1 mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor


ON Semiconductor DFN5 表面実装 N チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧が 80 V 、最大ゲートソース電圧が 20 V の新しい製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 2.1 mohm です。連続ドレイン電流は 203 A 、最大消費電力は 200 W です。 このトランジスタの最小駆動電圧は 6 V 、最大駆動電圧は 10 V です。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• コンパクト設計

•鉛（ Pb ）フリー

• QG と静電容量が低い

• QG と静電容量が低いため、ドライバの損失を最小限に抑えることができます

•低 RDS （ on ）により、導電損失を最小限に抑えます

•導電損失を最小限に抑える

•ドライバの損失を最小限に抑える

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C

•小型フットプリント（ 5 x 6 mm ）

用途


• 48 V システム

• DC/DC コンバータ

•負荷スイッチ

• モータ制御

•パワースイッチ（ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、 H ブリッジなど）

•スイッチング電源

•同期整流器

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

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