onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 19 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 本(1本800個入り) 小計:*

¥272,000.00

(税抜)

¥299,200.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年5月25日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
1チューブあたりの価格*
800 - 800¥340.00¥272,000
1600 - 7200¥336.573¥269,258
8000 - 11200¥333.151¥266,521
12000 - 15200¥329.726¥263,781
16000 +¥326.298¥261,038

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
221-6747
メーカー型番:
NTP165N65S3H
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

19A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

NTP165N65S

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

165mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

35nC

最大許容損失Pd

142W

動作温度 Max

175°C

高さ

16.3mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

10.67mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET は、高電圧スーパージャンクション(SJ)MOSFETであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先進的な技術は、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高い dv/dt レートに耐えられます。

超低ゲート電荷

低実効出力容量: 326 pF

100%アバランシェ耐量試験済み

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。