Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 90 A, 3.8 mΩ, 71 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 178-7369
- メーカー型番:
- IPD025N06NATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 178-7369
- メーカー型番:
- IPD025N06NATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 90A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | OptiMOS 5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 最大許容損失Pd | 167W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 71nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 高さ | 2.41mm | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 90A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ OptiMOS 5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
最大許容損失Pd 167W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 71nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.73mm | ||
高さ 2.41mm | ||
幅 6.22mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 対象外
インフィニオン OptiMOS 5シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧60V、最大連続ドレイン電流90A - IPD025N06NATMA1
このNチャネル・エンハンスメント型MOSFETは、中電圧レベルでの堅牢なスイッチングと導通が求められる表面実装電子機器向けに設計されたパワートランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、低い導通損失と適度なゲート駆動が求められる高電流用途向けに設計されています。このデバイスは、高密度実装基板の自動組立に適したTO-252パッケージで提供されます。
特長：
• 3.8mΩ のRds(on)により、伝導損失を低減し、効率を向上
• 連続ドレイン電流 90A により、高負荷スイッチングに対応
• 60Vドレイン・ソース定格により、中電圧設計が可能
• 71nC標準ゲート電荷により、駆動エネルギー要件を最小限に抑制
• 167Wの最大許容電力損失により、大電力処理が可能
• 20Vのゲート・ソース間電圧上限により、十分なゲート‑駆動マージンを確保
• 連続ドレイン電流 90A により、高負荷スイッチングに対応
• 60Vドレイン・ソース定格により、中電圧設計が可能
• 71nC標準ゲート電荷により、駆動エネルギー要件を最小限に抑制
• 167Wの最大許容電力損失により、大電力処理が可能
• 20Vのゲート・ソース間電圧上限により、十分なゲート‑駆動マージンを確保
用途
• 電源の同期降圧コンバータに適合
• 産業用コントローラのモーター‑駆動用ハーフ‑ブリッジに最適
• 大電流を必要とするバッテリ‑管理システムと併用
• 通信機器のDC-DC電力変換に使用可能
• サーバーやストレージ機器の電力段に最適
• 産業用コントローラのモーター‑駆動用ハーフ‑ブリッジに最適
• 大電流を必要とするバッテリ‑管理システムと併用
• 通信機器のDC-DC電力変換に使用可能
• サーバーやストレージ機器の電力段に最適
動作中に耐えられる温度範囲は？
-55°C～175°Cでの動作が規定されており、過酷な熱環境にも対応します。
実装および放熱のために、どのようなパッケージが採用されていますか？
このコンポーネントは、はんだによる基板実装とヒートシンクプレーンへの熱伝達向けに設計された、TO-252（DPAK）表面‑実装パッケージで提供されます。
ゲート‑駆動ではどのような点を考慮する必要がありますか？
ゲート・ソース間電圧（Vgs）は20Vを超えてはならないため、
ドライブ回路は、必要なスイッチング速度を実現するために、71nCのゲート総電荷量を供給できるように設計する必要があります。
チャンネルタイプはスイッチング動作にどのように影響しますか?
N‑チャネル・エンハンスメント型デバイスとして、正のゲート電圧で導通し、低いオン‑抵抗により高‑電流経路での効率的な導通を実現します。
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