Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 40 A, 6.3 mΩ, 27 nC, 8ピン, パッケージ：TDSON
- RS品番:
- 178-7497
- メーカー型番:
- BSZ042N06NSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 50000 - 70000 | ￥130.33 | ￥651,650 |
| 75000 - 95000 | ￥129.127 | ￥645,635 |
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- RS品番:
- 178-7497
- メーカー型番:
- BSZ042N06NSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| シリーズ | OptiMOS 5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6.3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 27nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 最大許容損失Pd | 69W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.4mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.4mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
シリーズ OptiMOS 5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 27nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
最大許容損失Pd 69W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.4mm | ||
高さ 1.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.4mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 対象外
インフィニオン OptiMOS 5シリーズ MOSFET、ドレイン・ソース間電圧60V、連続ドレイン電流40A - BSZ042N06NSATMA1
このMOSFETは、表面実装用途での大電力スイッチングに適したシリコンNチャネル・エンハンスメント型デバイスです。幅広い温度範囲で動作し、電力変換およびスイッチング段で一般的に使用される大電流・高電圧に対応するよう設計されています。このコンポーネントは、熱的・電気的性能が求められる小型実装に適した、低背設計のTDSONパッケージで提供されます。
特長：
• 60Vのドレイン・ソース間電圧定格により、信頼性の高い中電圧スイッチングに対応
• 40Aの連続電流容量により、高負荷回路に対応
• 6.3 mΩのオン抵抗（RDS(on)）により、導通損失を低減
• 27nCのゲート総電荷量により、より高速なゲート遷移を実現
• 69Wの最大許容電力損失により、継続的な電力処理に対応
• 40Aの連続電流容量により、高負荷回路に対応
• 6.3 mΩのオン抵抗（RDS(on)）により、導通損失を低減
• 27nCのゲート総電荷量により、より高速なゲート遷移を実現
• 69Wの最大許容電力損失により、継続的な電力処理に対応
用途
• 同期整流型バックコンバータの回路に最適
• モータドライバハーフブリッジ回路に最適
• サーバー電源のDC-DCコンバーターに使用
• バッテリー管理および電荷回路に使用可能
• モータドライバハーフブリッジ回路に最適
• サーバー電源のDC-DCコンバーターに使用
• バッテリー管理および電荷回路に使用可能
ゲート駆動ではどのような点を考慮する必要がありますか？
指定されたゲート電圧でのゲート総電荷量は27nCであり、過大な遷移損失を抑えつつ必要なスイッチング速度を実現するには、十分なピーク電流をソース／シンクできるゲートドライバが必要です。
パッケージは熱性能にどのような影響を与えますか？
TDSON 8ピンレイアウトにより、基板への低熱抵抗の熱伝導経路を確保し、適切な銅面積とサーマルビアを使用することで、大きな電力損失が発生する場合でも効果的な放熱を実現します。
動作時に対応可能な温度範囲はどのくらいですか？
極低温から高温環境まで幅広い動作温度範囲で動作し、過酷な条件にさらされる設計にも対応します。
デバイスの特性は、スイッチング動作にどのような影響を与えますか？
低オン抵抗と中程度のゲート電荷の組み合わせにより、低い伝導損失と制御可能なスイッチングトランジションをバランスさせ、効率を重視した電力段階に適しています。
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