Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 12 V, 4 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージSOT-363

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RS品番:
180-7264
メーカー型番:
SI1401EDH-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

12V

パッケージ型式

SOT-363

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

34mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

1.8W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14.1nC

最大ゲートソース電圧Vgs

10 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

2.2mm

規格 / 承認

No

幅

2.4 mm

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay の表面実装 P チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧が 12 V 、最大ゲートソース電圧が 10 V の新しい製品です。ドレインソース抵抗は、 4.5 V のゲートソース電圧で 34 mhm です。最大消費電力は 2.8 W で、連続ドレイン電流は 4 A です。このトランジスタの最小駆動電圧と最大駆動電圧は、それぞれ 1.5 V と 4.5 V です。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

•標準的な ESD 性能： 1500 V

用途


•携帯電話

• DSC

• GPS

•負荷スイッチ

• MP3

•ポータブルデバイス用の PA スイッチおよびバッテリスイッチ

•ポータブルゲーム機

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• IEC 61249-2-21

• Rg テスト済み

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